发明名称 化学增幅型光阻剂组成物
摘要 〔目的〕提供一种显示有高感度,高解像性,优异之加工适应性,加工安定性,良好之花纹形状,适宜于做为制造积体电路单体等微细加工材料之化学增幅型光阻剂组成物。〔构成〕含有一种从酸游离而具有取代基之有机物与经由放射线的照射而可发生酸的化合物(制酸剂),藉放射线的照射所发生酸的触媒作用,对于放射线照射部的硷性显影液使之发生溶解性变化于形成花纹之化学增幅型光阻剂组成物中,并用至少一种盐与化合物以及至少一种磺酸盐化合物。又,宜在光阻剂组成物中含有硷性化合物。
申请公布号 TWI244579 申请公布日期 2005.12.01
申请号 TW088104483 申请日期 1999.03.22
申请人 AZ电子材料股份有限公司 发明人 木下义章;山口优子;船户觉
分类号 G03F7/004 主分类号 G03F7/004
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项 1.一种化学增幅型光阻体组成物,其特征为,含有可由酸分解之取代基、使与乙烯醚化合物,碳酸二烷酯反应所附加反应性基之酸而可游离的取代基之聚羟基苯乙烯系及丙烯系树酯为主之有机物,以下列一般式(1)及(2)(式中,R1为氢或烷基,R2为烷基,m为0或1-4之整数)(式中,R3为氢或烷基)所代表之乙烯聚合物,酚醛清漆树酯,苯酚树酯及由放射线照射而发生酸之化合物[但,酸发生剂之阴离子化合物表(MF6-)时,M为磷,砷,锑以外之物],藉由放射线的照射所产生酸的触媒作用,使对放射线照射部分之硷显像液溶解性变化而形成图形之化学增幅型光阻体组成物中,因经由放射线的照射而发生酸的化合物,系选自至少1种盐化合物与至少一种化合物以及磺酸盐化合物所组成者。2.如申请专利范围第1项之化学增幅型光阻体组成物,其中化学增幅型光阻体组成物尚含有硷性化合物,而该化合物系至少为一种化合物,碘化合物,铵化合物者。3.如申请专利范围第1项之化学增幅型光阻体组成物,其中由酸所游离而含有取代基之有机物,系以由酸所游离之取代基加以保护之硷不溶性树脂或硷难溶性树脂所形成者。4.如申请专利范围第1项之化学增幅型光阻体组成物,其中化学增幅型光阻体组成物系具有抑制从酸所游离而含有取代基有机物之硷可溶性性质,并含有在酸的存在下经由分解而降低该有机物之硷溶解性抑制效果或被消失之化合物者。5.如申请专利范围第1项之化学增幅型光阻体组成物,其中以100重量份之经由酸所游离以取代基加以保护之有机物为计,系含有0.1~5重量份销盐化合物,0.5~10重量份总量之化合物及/或磺酸盐化合物者。6.如申请专利范围第1项之化学增幅型光阻体组成物,其中以100重量份之经由酸所游离以取代基加以保护之有机物为计,系含有0.05~10重量份之硷性化合物者。7.如申请专利范围第1至6项中任一项之化学增幅型光阻体组成物,其中盐化合物系选自至少一种为三苯基三羧苯咪唑盐,三苯基丙酸盐,三苯基六羧苯咪唑盐以及二苯基碘三羧苯咪唑盐,化合物系选自至少一种为双环己磺醯二偶氮甲烷,双苯磺醯二偶氮甲烷,双环己磺醯甲烷以及双苯磺醯甲烷,而磺酸盐化合物则选自至少一种为焦棓酚三羧苯咪唑盐以及苯偶因甲苯磺酸盐者。8.如申请专利范围第1至6项中任一项之化学增幅型光阻体组成物,其中化合物为双环已磺醯二偶氮甲烷者。
地址 日本