| 主权项 |
1.一种在供有抛光流体之情况下、于两个覆以抛光布之旋转抛光盘之间同时抛光半导体晶圆正面及背面之方法,下抛光盘之抛光布具有一平滑表面及上抛光盘之抛光布之表面由凹槽加以间隔,半导体晶圆系位于一载具盘切割框内且固定在一界定之几何路径上,其中,在抛光过程中,半导体晶圆之正面系与下抛光盘之抛光布接触,而在抛光过程中,半导体晶圆之背面系与上抛光盘之抛光布接触。2.如申请专利范围第1项之方法,其中,继正面及背面同时抛光之后,该半导体矽晶圆系藉助于真空吸气装置转移至一水浴内。3.如申请专利范围第1或2项之方法,其中,继正面及背面同时抛光之后,将该半导体晶圆之正面施以最终抛光。 |
