| 摘要 |
本发明之半导体装置之制造方法包含有以下步骤，即：步骤(A)，系用以准备基板，该基板系具备有具有主面之半导体层，且具有形成于用以将主面区分成复数的元件活性领域之分离领域内的元件分离构造(STI)者；步骤(B)，系用以于半导体层的主面的复数的元件活性领域中的经选择的元件活性领域上使包含有Si及Ge之磊晶层成长者；及步骤(C)，系用以于复数的元件活性领域中的经形成前述磊晶层的元件活性领域及未形成前述磊晶层的元件活性领域分别形成电晶体者。又，步骤(A)包含有用以于分离领域内形成被元件分离构造(STI)包围的复数的虚设领域之步骤(a1)，步骤(B)包含有用以于复数的虚设领域中的经选择的领域上成长与磊晶层相同材料构成之层之步骤(b1)。 |
