| 摘要 |
本发明提供一种可在晶圆的面内所有区域使具有良好之均一性的薄膜进行气相成长的气相成长装置。本发明是针对至少具有：可密闭的反应炉；设置在该反应炉内，并且在表面侧具有用来保持晶圆之晶圆载置部(收容孔)的晶圆收容手段(晶圆保持器)；用来向晶圆供应原料气体的气体供应手段(气体导入管)；用来加热前述晶圆的加热手段(加热器)；以及保持前述晶圆收容手段，并且使来自前述加热手段的热量均一化的均热手段(基座)，并藉由在前述反应炉内利用前述加热手段，经由前述均热手段及前述晶圆收容手段而加热晶圆，同时在高温状态下供应原料气体，而在前述晶圆表面形成成长膜的气相成长装置，在前述晶圆收容手段的背面侧，形成凹陷成圆顶状的凹部。 |
