藉由控制膜层生成前驱物来控制所沉积氮化矽膜的性质及均一性的方法

摘要

吾人研发一种PECVD沉积α–SiNx：H膜的方法，当一系列的TFT元件在一表面积大于约1平方公尺(其可以是约4.1平方公尺，甚至是大到9平方公尺)之基材上被排成阵列时，该膜在该TFT元件上是很有用的，其可作为闸极介电层及钝态层。该等α–SiNx：H膜提供均一的膜厚度及膜性质(包括化学组成在内的性质)，这在这些大表面积基材上是必需的。由此方法所制造的膜对于液晶主动矩阵显示器及有机发光二极体控制两者而言是很有用的。