发明名称 |
绝缘膜形成用组成物及其制造方法,暨二氧化矽系绝缘膜及其形成方法 |
摘要 |
本发明系提供可形成适用于如半导体元件等的层间绝缘膜,且介电常数较小,机械强度、保存安定性及耐药液性等均优越,并具有均匀膜质之膜的绝缘膜形成用组成物及其制造方法,暨使用上述绝缘膜形成用组成物的二氧化矽系绝缘膜及其形成方法。本发明的绝缘膜形成用组成物系含有:在(B)聚碳矽烷及(C)硷性触媒存在下,使(A)含水解性基矽烷单体进行水解缩合所获得的水解缩合物;及有机溶剂。094101154-p01.bmp |
申请公布号 |
TW200538491 |
申请公布日期 |
2005.12.01 |
申请号 |
TW094101154 |
申请日期 |
2005.01.14 |
申请人 |
JSR股份有限公司 |
发明人 |
中川恭志;秋山将宏;黑泽孝彦;盐田淳 |
分类号 |
C08G77/48;C08G77/42;C08L83/14;C09D183/14;H01L21/312;H01B3/46 |
主分类号 |
C08G77/48 |
代理机构 |
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代理人 |
赖经臣;宿希成 |
主权项 |
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地址 |
日本 |