发明名称 | 雷射结晶系统暨即时控制准分子雷射退火制程能量密度之方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种雷射结晶系统暨一种即时控制准分子雷射退火程序能量密度之方法。该雷射结晶系统包含有一准分子雷射退火装置与一光学检测装置。该即时控制准分子雷射退火程序之能量密度的方法,包含有利用进行一最佳能量密度决定程序,以决定出一最佳能量密度,以及利用该最佳能量密度的准分子雷射来进行一率分子雷射退火程序。 | ||
申请公布号 | TW200539536 | 申请公布日期 | 2005.12.01 |
申请号 | TW093114627 | 申请日期 | 2004.05.24 |
申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 曹义昌;吴焕照;林文章;张志雄 |
分类号 | H01S3/097;H01L21/66 | 主分类号 | H01S3/097 |
代理机构 | 代理人 | 许锺迪 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 |