发明名称 有机电致发光显示装置及其制造方法
摘要 一种有机电致发光显示装置,包括:第一基板;与第一基板间隔且面对之第二基板以形成其间之间隙;在第一基板内表面上之阵列元件;在第二基板内表面上之有机电致发光二极体;沿着第一与第二基板之间之周围部分之密封图案;以及将阵列元件与有机电致发光二极体电性连接之连接图案;其中在第一与第二基板之间间隙中之压力是低于周围大气压力。
申请公布号 TWI244873 申请公布日期 2005.12.01
申请号 TW092108538 申请日期 2003.04.14
申请人 LG菲利普液晶显示股份有限公司 发明人 朴宰用;金玉姫;俞忠根;李南良;金官洙
分类号 H05B33/00;H01L33/00 主分类号 H05B33/00
代理机构 代理人 吴宏山 台北市内湖区行爱路176号3楼
主权项 1.一种有机电致发光显示(ELD)装置,其特征为包括: 第一基板; 与第一基板间隔且相面对之第二基板而在其间 形成间隙; 在第一基板上之内表面上之阵列元件; 在第二基板之内表面上之有机电致发光二极体; 沿着第一基板与第二基板之间周围部分之密封 图案;以及 将阵列元件与有机电致发光二极体电性连接之 连接图案;其中 在第一与第二基板之间之间隙中之压力低于周围 之大气压力。 2.如申请专利范围第1项之有机电致发光显示装置, 其中 第一与第二基板包括具有红色、绿色、以及蓝色 子像素区之像素区。 3.如申请专利范围第2项之有机电致发光显示装置, 其中 阵列元件包括设置在子像素区所形成之薄膜电晶 体。 4.如申请专利范围第2项之有机电致发光显示装置, 其中 此有机电致发光二极体包括:第一电极、有机电致 发光层、以及设置在子像素区之第二电极。 5.如申请专利范围第4项之有机电致发光显示装置, 其中 连接图案连接薄膜电体与设置在子像素区之第二 电极。 6.如申请专利范围第4项之有机电致发光显示装置, 其中 此第一电极作用为阴极电极。 7.如申请专利范围第6项之有机电致发光显示装置, 其中 此第一电极包括透明导电材料或半透明导电材料 。 8.如申请专利范围第4项之有机电致发光显示装置, 其中 此第二电极作用为阳极电极。 9.如申请专利范围第8项之有机电致发光显示装置, 其中 此第二电极包括不透明导电材料。 10.如申请专利范围第1项之有机电致发光显示装置 ,其中连接图案包括金属材料。 11.如申请专利范围第1项之有机电致发光显示装置 ,其中连接图案包括柱之形状。 12.一种制造有机电致发光显示装置之方法,其特征 为包括以下步骤: 在第一基板上形成阵列元件与连接图案; 形成电性连接至阵列元件之连接图案; 在第二基板上形成有机电致发光显示二极体; 沿着第一与第二基板之间之周围部份形成密封 图案,以致于阵列元件与有机电致发光二极体彼此 面对; 在真空室中藉由将密封图案压紧而实施第一基 板与第二基板之第一接合,而将连接图案与有机发 光二极体电性连接,此第一接合在第一基板与第二 基板之间提供第一间隙,其具有小于周围大气压力 之第一压力; 实施密封图案之第一硬化; 在真空室中在周围大气压力实施第一基板与第 二基板之第二接合;以及 实施密封图案之第二硬化。 13.如申请专利范围第12项之方法,其中 在真空室中之压力以气体控制。 14.如申请专利范围第12项之方法,其中 此第一压力是在大约0.3托耳至大约0.7托耳之范围 中。 15.如申请专利范围第12项之方法,其中 此有机电致发光二极体包括:第一电极、有机电致 发光层、以及设置在子像素区之第二电极。 16.如申请专利范围第15项之方法,其中 第二电极是电性连接至连接图案。 17.如申请专利范围第16项之方法,其中 第一电极作用为阳极第二电极作用为阴极。 18.如申请专利范围第17项之方法,其中 此有机电致发光层包括:电洞注入层、电洞传输层 、发光层、电子传输层、以及电子注入层。 图式简单说明: 第1图为等效电路图、其显示根据习知技术之主动 矩阵式有机电致发光显示装置之像素结构; 第2图为根据习知技术之底部发射式有机电致发光 显示装置之横截面图式; 第3图为根据习知技术之底部发射式有机电致发光 显示装置之子像素区横截面图式; 第4图为根据习知技术之有机电致发光显示装置之 制造过程之流程图; 第5图为根据本发明之典型主动矩阵式有机电致发 光显示装置之横截面图式; 第6图为根据本发明另一典型主动矩阵式有机电致 发光显示装置之横截面图式; 第7图为根据本发明之有机电致发光显示装置之典 型附装过程之流程图;以及 第8图为根据本发明之有机电致光显示装置之典型 附装装置之横截面图式。
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