| 主权项 |
1.一种投影光学系统,用于投影膜版之图案至欲曝 光之物件上,该投影光学系统包含作为等轴晶体之 光学元件, 其中该投影光学系统的光学轴与第一轴之间的角 度小于10,第一轴作为该光学元件的[001]轴及等效 于[001]轴之该光学元件的轴,亦即该光学元件的[00- 1]轴、[010]轴、[0-10]轴、[100]轴、[-100]轴的其中之 一,且 其中许多第二轴包含于[001]轴及等效于[00-1]轴的 轴中,第二轴与第一轴垂直且从膜版之图案中的周 期方向移位10或更多。 2.如申请专利范围第1项之投影光学系统,其中等轴 晶体为氟化物。 3.一种曝光装置,包含: 一照明光学系统,藉着使用来自光源之具有200nm或 更小的波长之光,用于照明一膜版;及 一如申请专利范围第1或2项之投影光学系统,用于 投影膜版之图案至欲曝光之物件上。 4.一种半导体装置制造方法,包含以下步骤: 藉着使用如申请专利范围第3项之曝光装置,曝光 欲被曝光的物件;及 显影被曝光的物件。 图式简单说明: 图1概要显示本发明之光学元件。 图2为投影光学系统之概要侧视图,图1所示之光学 元件应用于此。 图3显示模拟结果,其中,立体显示具有波长157nm之 氟化钙之本质双折射及其朝向。 图4显示模拟结果,其中,平面显示包含[001]轴及[100] 轴之平面中之本质双折射及其朝向,并指示当[001] 轴与光轴相同时,光轴与本质双折射呈现尖峰之光 束间所形成之角度。 图5显示一晶体中之光束及本质双折射间之关系。 图6为模拟结果,显示当自[001]轴观看图3所示之模 拟结果时之本质双折射。 图7显示光轴周围之朝向角度之本质双折射。 图8为概要透视图,显示图2所示之投影光学系统。 图9为概要透视图,显示图2所示之投影光学系统之 示范实施例。 图10为依据本发明使用CaF2制造光学元件之方法之 流程图。 图11为流程图,说明装置(例如半导体晶片,诸如IC及 LSD,LCD,CCD等)之制造。 图12为图11所示之步骤104之详细流程图。 图13为本发明之示范之曝光装置之概要断面图。 图14为一图,其中,在<111>面中之光轴周围之朝向角 度之本质双折射加于图7所示之图中。 图15为模拟结果,显示当自[110]轴之方向观看图3所 示之模拟结果时之本质双折射。 图16为概要图,显示本发明之光学系统。 图17为图16所示之光学系统之概要断面图。 图18为模拟结果,显示当光轴周围之二平行平坦板 之相对角度改变时所产生之本质双折射,其一[110] 轴为光轴之方向。 图19显示当光轴对包含[100],[110],及[010]轴之节段及 包含[001],[110],及[00-1]轴之节段倾斜离开[110]轴时 之本质双折射。 图20为概要图,显示当光学系统300如图16及17变化时 之该光学系统300A。 |
