| 主权项 |
1.一种化学机械研磨浆液,其特征为包含一种复合 研磨粒子,其系由表面包覆氧化铝之基材粒子所构 成。 2.根据申请专利范围第1项之化学机械研磨浆液,其 中该基材粒子系选自由SiO2、ZrO2、CeO2、SiC、Fe2O2 、TiO2及Si3N4及其混合物所构成之群组。 3.根据申请专利范围第1项之化学机械研磨浆液,其 中该基材粒子系为SiO2。 4.一种用于研磨半导体晶圆表面之化学机械研磨 浆液,其包含水性介质、界面活性剂和研磨剂,其 特征为该研磨剂为一复合研磨粒子,其系由表面包 覆氧化铝之基材粒子所构成。 5.根据申请专利范围第4项之化学机械研磨浆液,其 以研磨浆液总重为基准,包含70-99.5重量%之水性介 质、0.01-3重量%之界面活性剂及0.1-29重量%之复合 研磨粒子。 6.根据申请专利范围第5项之化学机械研磨浆液,其 系包含95-99.5重量%之水性介质。 7.根据申请专利范围第5项之化学机械研磨浆液,其 系包含0.05-1.0重量%之界面活性剂。 8.根据申请专利范围第5项之化学机械研磨浆液,其 系包含0.5-5重量%之复合研磨粒子。 9.根据申请专利范围第5项之化学机械研磨浆液,其 中该水性介质系去离子水。 10.根据申请专利范围第5项之化学机械研磨浆液, 其中该界面活性剂为阴离子型界面活性剂。 11.如申请专利范围第4项之化学机械研磨浆液,其 中基材粒子系选自由SiO2、ZrO2、CeO2、SiC、Fe2O2、 TiO2及Si3N4及其混合物所构成之群组。 12.如申请专利范围第4项之化学机械研磨浆液,其 中基材粒子系为SiO2。 13.根据申请专利范围第4项之化学机械研磨浆液, 其进一步包含,以研磨浆液总重为基准,0.1-5重量% 之氧化剂及0.01-1重量%之腐蚀抑制剂。 14.根据申请专利范围第13项之化学机械研磨浆液, 其中该氧化剂系选自由H2O2、Fe(NO3)3、KIO3、CH3COOOH 以及KMnO4所构成之群组。 15.根据申请专利范围第13项之化学机械研磨浆液, 其中该氧化剂为H2O2。 16.根据申请专利范围第13项之化学机械研磨浆液, 其中腐蚀抑制剂系为三唑化物。 17.根据申请专利范围第13项之化学机械研磨浆液, 其中腐蚀抑制剂系为苯并三唑。 18.一种研磨半导体晶圆表面之方法,其包括于晶圆 表面上施用如申请专利范围第1至17项中任一项之 化学机械研磨浆液;及以该研磨浆液将半导体晶圆 表面之金属层磨光。 19.根据申请专利范围第18项之方法,其中该金属层 为铜。 |
