| 主权项 |
1.一种离子化金属电浆模组,系用于一半导体溅镀 系统,以离子化由一靶材溅击出之金属原子,该离 子化金属电浆模组至少包含: 一射频线圈,当由一射频电源提供之一射频电流通 过该射频线圈时,系产生电浆以离子化由该靶材溅 击出之该金属原子; 一射频极性切换控制电路,系与该射频线圈耦接, 以一切换频率切换进入该射频线圈之该射频电流 极性;及 一射频匹配电路,系与该射频极性切换控制电路及 该射频电源耦接,以将该射频电流由该射频电源传 递至该射频极性切换控制电路。 2.如申请专利范围第1项所述之离子化金属电浆模 组,其中该射频线圈系作为一辅助靶材,以补偿该 半导体溅镀系统于一基材形成之一溅镀薄膜之一 致性。 3.如申请专利范围第1项所述之离子化金属电浆模 组,其中该射频线圈与该靶材系由相同材料所构成 。 4.如申请专利范围第1项所述之离子化金属电浆模 组,其中该靶材系耦接至一直流电源与一磁控管, 藉由该直流电源与该磁控管以由该靶材溅击出该 金属原子。 5.如申请专利范围第1项所述之离子化金属电浆模 组,其中该射频极性切换控制电路具有一第一继电 器接点与一第二继电器接点。 6.如申请专利范围第5项所述之离子化金属电浆模 组,其中当该第一继电器接点与该第二继电器接点 位于一第一状态时,该射频电流系以一第一极性进 入该射频线圈。 7.如申请专利范围第6项所述之离子化金属电浆模 组,其中当该第一继电器接点与该第二继电器接点 位于一第二状态时,该射频电流系以与该第一极性 相反之一第二极性进入该射频线圈。 8.如申请专利范围第1项所述之离子化金属电浆模 组,其中系以程式化方式设定该切换频率。 9.如申请专利范围第1项所述之离子化金属电浆模 组,其中该切换频率系为每一溅镀制程中切换该射 频电流极性一次。 10.如申请专利范围第1项所述之离子化金属电浆模 组,其中该切换频率系为每一溅镀制程中切换该射 频电流极性两次。 11.如申请专利范围第1项所述之离子化金属电浆模 组,其中该半导体溅镀系统系为一离子化金属电浆 溅镀系统。 12.如申请专利范围第1项所述之离子化金属电浆模 组,其中该半导体溅镀系统系为一自行离子化电浆 溅镀系统。 13.一种半导体溅镀系统,系用以于一基材形成一溅 镀薄膜,该半导体溅镀系统至 少包含: 一电浆反应室; 一靶材,系位于该电浆反应室内,该靶材系用以溅 击出溅镀所需之金属原子; 一支撑托架,系位于该电浆反应室内,用以支撑该 基材; 一射频线圈,系位于该电浆反应室内,当由一射频 电源提供之一射频电流通过该射频线圈时,系产生 电浆以离子化由该靶材溅击出之该金属原子; 一射频极性切换控制电路,系与该射频线圈耦接, 以一切换频率切换进入该射频线圈之该射频电流 极性;及 一射频匹配电路,系与该射频极性切换控制电路及 该射频电源耦接,以将该射频电流由该射频电源传 递至该射频极性切换控制电路。 14.如申请专利范围第13项所述之半导体溅镀系统, 其中该射频线圈系作为一辅助靶材,以补偿该溅镀 薄膜之一致性。 15.如申请专利范围第13项所述之半导体溅镀系统, 其中该射频线圈与该靶材系由相同材料所构成。 16.如申请专利范围第13项所述之半导体溅镀系统, 其中该靶材系耦接至一直流电源与一磁控管,藉由 该直流电源与该磁控管以由该靶材溅击出溅镀所 需之该金属原子。 17.如申请专利范围第13项所述之半导体溅镀系统, 其中该射频线圈系配置于该靶材与该支撑托架间 。 18.如申请专利范围第13项所述之半导体溅镀系统, 其中该基材系为一半导体晶圆。 19.如申请专利范围第13项所述之半导体溅镀系统, 其中该支撑拖架进一步耦接至一射频偏压电源,以 于该支撑拖架提供一负偏压。 20.如申请专利范围第19项所述之半导体溅镀系统, 其中该负偏压系可吸引该离子化之金属原子,以于 该基材形成该溅镀薄膜。 21.如申请专利范围第13项所述之半导体溅镀系统, 其中该射频极性切换控制电路具有一第一继电器 接点与一第二继电器接点。 22.如申请专利范围第21项所述之半导体溅镀系统, 其中当该第一继电器接点与该第二继电器接点位 于一第一状态时,该射频电流系以一第一极性进入 该射频线圈。 23.如申请专利范围第22项所述之半导体溅镀系统, 其中当该第一继电器接点与该第二继电器接点位 于一第二状态时,该射频电流系以与该第一极性相 反之一第二极性进入该射频线圈。 24.如申请专利范围第13项所述之半导体溅镀系统, 其中系以程式化方式设定该切换频率。 25.如申请专利范围第13项所述之半导体溅镀系统, 其中该切换频率系为每一溅镀制程中切换该射频 电流极性一次。 26.如申请专利范围第13项所述之半导体溅镀系统, 其中该切换频率系为每一溅镀制程中切换该射频 电流极性两次。 27.如申请专利范围第13项所述之半导体溅镀系统, 其中该半导体溅镀系统系为一离子化金属电浆溅 镀系统。 28.如申请专利范围第13项所述之半导体溅镀系统, 其中该半导体溅镀系统系为一自行离子化电浆溅 镀系统。 图式简单说明: 第1图系绘示习知技艺之半导体溅镀系统剖面图。 第2图系绘示习知技艺之离子化金属电浆模组之内 部电路图。 第3图系绘示依照本发明一较佳具体实施例之半导 体溅镀系统剖面图。 第4图系绘示依照本发明一较佳具体实施例之离子 化金属电浆模组内部电路图。 第5图系绘示依照本发明一较佳具体实施例之离子 化金属电浆模组内部电路图。 |
