| 主权项 |
1.一种电浆处理装置,包含: 一真空室,用以容纳一欲处理之物件及用以在一真 空或降低压力之环境下提供电浆处理于该物件; 一阻抗匹配单元,建构用于阻抗匹配,该阻抗匹配 单元配置于该真空室与一用以产生微波之微波振 荡器之间;以及 一控制器,用以依据该阻抗匹配单元之一匹配状态 ,产生该匹配状态之电浆必要之微波强度分布,及 使该电浆处理期间之反射波最小化之该阻抗匹配 单元之一匹配状态之间的关系来控制该阻抗匹配 单元之动作。 2.如申请专利范围第1项之电浆处理装置,其中该关 系系藉一史密斯图或一唯一地相对应于该史密斯 图之图予以表示,该史密斯图指示一用以产生相对 于该阻抗匹配单元所产生之微波的反射波之相位 及反射系数的各微波强度之电浆。 3.如申请专利范围第2项之电浆处理装置,其中该控 制器投射该微波及产生该电浆而改变该阻抗匹配 单元在该史密斯图上之位置及该微波强度。 4.如申请专利范围第1项之电浆处理装置,其中该控 制器藉设定该阻抗匹配单元于一可在低于便用于 该电浆处理之该微波一输出之输出处产生该电浆 的匹配状态,而在该微波投射之后起始该电浆处理 。 5.如申请专利范围第1项之电浆处理装置,其中该控 制器藉设定该阻抗匹配单元于一可在该电浆处理 期间使该微波之反射波最小化之匹配状态,而在该 微波投射之后起始该电浆处理。 6.如申请专利范围第1项之电浆处理装置,其中该控 制器藉设定该阻抗匹配单元于可在所投射之微波 输出产生该电浆之该阻抗匹配单元的该等匹配状 态之中,藉设定该阻抗匹配单元于最接近于一可在 该电浆处理期间使该微波之反射波最小化之匹酚 状态的匹配状态,而在该微波投射之后起始该电浆 处理。 7.如申请专利范围第1项之电浆处理装置,其中在该 控制器投射该微波而设定该阻抗匹配单元于一预 定之匹配状态之后,该控制器控制该阻抗匹配单元 使得该阻抗匹配单元透过一非直接之路由来到可 使该微波之反射波最小化之匹配状态,以及起始该 电浆处理。 8.如申请专利范围第1项之电浆处理装置,其中在该 微波之一输出达到一预定之输出而该控制器设定 该阻抗匹配单元于一用以全反射来自微波振荡器 之微波的匹配状态及起始供应该微波之后,该控制 器控制该阻抗匹配单元使得该阻抗匹配单元经由 一可利用所投射之微波产生电浆之匹配状态来到 可在该电浆处理期间使该微波之反射波最小化的 匹配状态。 9.如申请专利范围第1项之电浆处理装置,其中在该 控制器预设该阻抗匹配单元于一可利用微波产生 电浆之匹配状态之后,该控制器控制该阻抗匹配单 元使得该阻抗匹配单元来到一可在该电浆处理期 间使微波之反射波最小化的匹配状态。 10.如申请专利范围第1项之电浆处理装置,其中在 该控制器预设该阻抗匹配单元于一可利用微波产 生电浆之匹配状态之后,该控制器控制该阻抗匹配 单元使得自动控制转移该阻抗匹配单元到一可在 该电浆处理期间使微波之反射波最小化的匹配状 态。 11.如申请专利范围第1项之电浆处理装置,进一步 包含一记忆体,用以储存该关系。 12.一种电浆处理方法,用以容纳一欲处理之物件于 一真空室中,及用以在一真空或降低压力之环境下 提供电浆处理于该物件,该方法包含下列步骤: 测量一建构用于阻抗匹配及配置于该真空室与一 用以产生微波之微波振荡器之间的阻抗匹配单元 之匹配状态,产生该匹配状态之电浆必要的微波强 度分布,及使该电浆处理期间之反射波最小化之一 匹配状态之间的关系;以及 依据该测量步骤所获得之一测量结果控制该阻抗 匹配单元之阻抗匹配。 13.如申请专利范围第12项之电浆处理方法,进一步 包含以一史密斯图之形式或以一维一地相对应于 该史密斯图之图的形式储存该关系的步骤,该史密 斯图指示一用以产生相对于该阻抗匹配单元所产 生之微波的反射波之相位及反射系数的各微波强 度之电浆。 14.如申请专利范围第13项之电浆处理方法,其中该 控制步骤投射该微波及产生该电浆而改变该阻抗 匹配单元在该史密斯图上之位置及该微波强度。 15.如申请专利范围第12项之电浆处理方法,其中该 控制步骤包含下列步骤: 设定该阻抗匹配单元于一可在低于使用于该电浆 处理之该微波一输出之输出处产生该电浆的匹配 状态;以及 藉投射低于使用于该电浆处理之该微波之输出的 输出处的微波而起始该电浆处理。 16.如申请专利范围第12项之电浆处理方法,其中该 控制步骤包含下列步骤: 设定该阻抗匹配单元于可在该电浆处理期间使该 微波之反射波最小化的匹配状态;以及 藉投射该微波而起始该电浆处理。 17.如申请专利范围第12项之电浆处理方法,其中该 控制步骤包含下列步骤: 在可于所投射之微波输出产生该电浆之该阻抗匹 配单元的该等匹配状态中,设定该阻抗匹酩单元于 最接近于一可在该电浆处理期使该微波之反射波 最小化之匹配状态的匹配状态;以及 藉投射该微波而起始该电浆处理。 18.如申请专利范围第12项之电浆处理方法,其中该 控制步骤包含下列步骤: 设定该阻抗匹配单元于一预定之匹配状态; 藉投射该微波而起始该电浆处理;以及 控制该阻抗匹配单元使得该阻抗匹配单元透过一 非直接之路由来到可使该微波之反射波最小化之 匹配状态。 19.如申请专利范围第12项之电浆处理方法,其中该 控制步骤包含下列步骤: 设定该阻抗匹配单元于一用以全反射来自微波振 荡器之微波的匹配状态; 起始供应该微波; 决定是否该微波之输出达到一预定之输出;以及 当该决定步骤决定该微波之输出达到该预定之输 出时,控制该阻抗匹配单元,使得该阻抗匹配单元 经由一可利用所投射之微波产生电浆之匹配状态 来到可在该电浆处理期间使该微波之反射波最小 化的匹配状态。 20.如申请专利范围第12项之电浆处理方法,其中该 控制步骤包含下列步骤: 预设一适用于该电浆处理之匹配状态于该阻抗匹 配中;以及 控制该阻抗匹配单元使得该阻抗匹配单元来到一 可在该电浆处理期间使微波之反射波最小化的匹 配状态。 21.如申请专利范围第12项之方法,其中该控制步骤 包含下列步骤: 预设该阻抗匹配单元于一可利用微波产生电浆之 匹配状态;以及 控制该阻抗匹配单元使得自动控制转移该阻抗匹 配单元到一可在该电浆处理期间使微波之反射波 最小化的匹配状态。 图式简单说明: 第1图系流程图,显示根据本发明一实施例之电浆 处理方法,其系在一阻抗匹配单元上之控制方法, 其产生电浆于电浆可产生之位置,接着来到一匹配 位置,及执行电浆处理; 第2图系流程图,显示根据本发明另一实施例之电 浆处理方法,其系在一阻抗匹配单元上之控制方法 ,其产生电浆于一匹配位置,及执行电浆处理; 第3图系流程图,显示根据本发明又一实施例之电 浆处理方法,其系在一阻抗匹配单元上之控制方法 ,其产生电浆于一实质靠近一匹配位置之电浆可产 生位置,接着来到该匹配位置,及执行电浆处理; 第4图系流程图,显示根据本发明再一实施例之电 浆处理方法,其系在一阻抗匹配单元上之控制方法 ,其产生电浆于一电浆可产生位置,接着透过某一 设定的路由来到一匹配位置,及执行电浆处理; 第5图系流程图,显示根据本发明仍一实施例之电 浆处理方法,其系在一阻抗匹配单元上之控制方法 ,其激发一微波振荡器于该阻抗匹配单元之反射系 数为1之状态,接着经由一电浆可产生位置产生电 浆,来到一匹配位置,及执行电浆处理; 第6图系根据本发明一实施例之电浆处理装置之结 构示意方块图; 第7图系史密斯(Smith)图,显示藉第6图中之电浆处理 装置所测量之阻抗匹配单元的匹配状态,在该等匹 配状态之电浆产生必要之微波强度,及匹配位置间 之关系;及 第8图系相异于第7图之史密斯图。 |
