侧壁具有缓冲层之铜双镶嵌结构的制造方法

摘要

本发明系揭露一种侧壁具有缓冲层之铜双镶嵌结构的制造方法，其系于完成沟槽与中介窗的蚀刻制程后，于半导体基底上沉积一缓冲层，然后移除位于沟槽与中介窗底部之缓冲层，只保留位于沟槽与中介窗两侧壁之缓冲层，藉由位于两侧壁之缓冲层来克服铜金属导线具有的张应力可能产生的形态缺陷。