Entfernen von eingebetteten Partikeln während eines chemisch-mechanischen Polierens

摘要

Ein chemisch-mechanisches Polierverfahren und eine Vorrichtung werden vorgestellt, welche eingelagerte Partikel während eines CMP-Prozesses reduzieren. Während des CMP-Prozesses drehen sich der Waferträger und die Polierplatte in die gleiche Richtung. Dies ermöglicht es Partikeln, in das Oxid oder eine andere Filmoberfläche eingelagert zu werden. In dem offenbarten Prozess wird während eines abschließenden Polierschrittes der Waferträger oder die Polierplatte in die entgegengesetzte Richtung gedreht oder rotiert. Eingelagerte Partikel werden dann aus dem Oxid oder dem Film herausgezogen, wodurch ein sehr viel sauberer Wafer erzeugt wird. Dies erhöht die Herstellungsausbeute und reduziert Herstellungskosten durch Einfügen eines zusätzlichen Schrittes und einer geringen Modifikation einer herkömmlichen Vorrichtung.