新型集成电路或分立元件超薄无脚封装工艺及其封装结构

摘要

本发明涉及一种新型集成电路或分立元件超薄无脚封装工艺，依次包括以下工艺：取一片金属基板材(1)进行半蚀刻；在没有被刻蚀的基岛及引脚正面镀上金属(2)；芯片(4)植入；打线(5)；包封塑封体(6)和正面打印(7)；在金属基板背面涂干墨(8)；切除半蚀刻区背面部分干墨；将半蚀刻区剩下部分的金属基板(1.3)再次进行蚀刻，使引脚和基岛凸出于塑封体表面；去除余下干墨；在基岛及引脚背面镀金属层(9)；塑封体正面贴胶膜；切割。封装结构包括芯片承载底座(11)、打线内脚承载底座(12)、芯片(4)、金属线(5)以及塑封体(6)。本发明焊性能力强、品质优良、成本较低、生产顺畅、适用性较强、多芯片排列灵活、不会发生塑封料渗透的种种困扰。

主权项

1、一种新型集成电路或分立元件超薄无脚封装工艺，其特征在于它依次包括以下工艺步骤：——取一片金属基板材(1)，——在金属基板(1)正面进行半蚀刻，金属基板(1)上没有被蚀刻的区域形成基岛(1.1)及引脚(1.2)，被半蚀刻的区域形成凹陷的半蚀刻区(1.3)，——在没有被刻蚀的基岛(1.1)及引脚(1.2)正面镀上金属层(2)，——在基岛正面金属层(2)上进行芯片(4)的植入，制成集成电路或分立元件的列陈式集合体半成品，——将已完成芯片植入作业的半成品进行打金属线(5)作业，——将已打线完成的半成品正面进行包封塑封体(6)作业，并进行塑料包封后固化作业，——将已完成塑料包封及后固化作业的半成品，进行正面打印(7)作业，——在金属基板(1)背面涂上干墨(8)，——切除半蚀刻区(1.3)背面的干墨，——将半蚀刻区(1.3)剩下部分的金属再次进行蚀刻，从而使基岛和引脚凸出于塑封体(6)表面，——去除金属基板(1)背面余下的干墨(8.1、8.2)，——在没有被刻蚀的基岛(1.1)及引脚(1.2)背面镀上金属层(9)，——将塑封体(6)正面贴上胶膜(10)，——已贴上胶膜的半成品进行切割作业，使原本以列阵式集合体方式连在一起的芯片一颗颗独立开来，——将完成切割的产品利用取放转换设备将单颗集成电路或分立元件的塑封体吸出胶膜。