| 发明名称 | 在电场下确定晶体取向的压电陶瓷及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种通过在电场下对非晶态材料进行结晶化控制来在结构上确定晶体取向的压电陶瓷及其制造方法。对该非晶态材料施加电场以产生确定晶体取向的压电陶瓷。该材料是以1∶2的比例包括有Li<SUB>2</SUB>O和B<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>的非晶态Li<SUB>2</SUB>B<SUB>4</SUB>O<SUB>7</SUB>，并且该材料可以用于信息技术、器件技术、机械技术等等。 | ||
| 申请公布号 | CN1703786A | 申请公布日期 | 2005.11.30 |
| 申请号 | CN02829902.7 | 申请日期 | 2002.11.16 |
| 申请人 | 技星金属株式会社;梁龙锡;金秀宰 | 发明人 | 梁龙锡;金秀宰;金钟洙 |
| 分类号 | H01L41/24;C30B30/00 | 主分类号 | H01L41/24 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄纶伟 |
| 主权项 | 1、一种通过使用铁电材料或非铁电材料来制造压电陶瓷的方法，该方法包括如下步骤：向所述铁电材料或非铁电材料施加电场，以形成确定晶体取向的压电陶瓷。 | ||
| 地址 | 韩国釜山 | ||