半导体器件及其制造方法

摘要

本发明在n^－半导体层22的表面层上，选择性地形成了深度各为14－20μm(设计值)的p⁺－扩散区23、24和25。由于用He离子对芯片整个表面进行照射，因此寿命抑制因子被从比形成于n^－半导体层22和p⁺扩散区域23的p－n结表面31的位置d1浅的位置d2引入到位置比位置d1深的位置d3，以便形成整个芯片上的短寿命区域32。在He离子照射时，进行照射以使所述He离子照射半宽度不大于p⁺扩散区23的深度，并且具有He离子峰值的位置比所述He离子照射半宽度还深，且位于p⁺扩散区域23深度的80％和120％间的区域内。这样，在例如转换器二极管的半导体器件中，可带来使反向恢复电流di/dt具有高衰减率的能力足以高到这样一种程度即，所述器件能承受雷电冲击并使低正向电压VF一直维持低电平。

主权项

1、一种半导体器件，包括：第一导电型半导体层；深度为12.6μm或更多的扩散区，所述扩散区由第二导电型半导体区域构成，所述第二导电型半导体区域选择性地位于所述第一导电型半导体层的表面层上；以及短寿命区域，通过包含寿命抑制因子使短寿命区域中载流子的寿命比其他区域中载流子的寿命短，所述短寿命区域是整个经过所述第一导电型半导体层和扩散区域，从比作为扩散区域和第一导电型半导体层间结临界面的p-n结表面最深位置浅的位置到比所述p-n结表面最深位置深的位置，进行氦离子或其它轻离子照射而形成的。