发明名称 |
制造阵列波导器件的方法及装置 |
摘要 |
一种制造阵列波导光栅器件的方法及装置,是采用高密度等离子体技术,以消除传统加工方法如金属有机化学气相沉积(MOCVD)与等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)使用有毒的化学物质而产生的污染。 |
申请公布号 |
CN1229660C |
申请公布日期 |
2005.11.30 |
申请号 |
CN02102697.1 |
申请日期 |
2002.03.06 |
申请人 |
鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
发明人 |
陈杰良;吕昌岳;姚一鼎 |
分类号 |
G02B6/124 |
主分类号 |
G02B6/124 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.一制造阵列波导光栅器件的方法,其特征在于它包括以下步骤:1)将SiO2薄膜以离子束溅射或离子镀覆于基底;2)将掺有GeO2的SiO2薄膜以离子束溅射或离子镀覆于SiO2薄膜,其中,经掩膜及反应离子蚀刻将掺有GeO2的SiO2薄膜区分为几个隔开的片段;3)将SiO2+P2O5+B2O3薄膜以离子束溅射或离子镀覆于掺有GeO2的SiO2薄膜上以隔离掺有GeO2的SiO2薄膜;4)将SiO2外覆层以离子束溅射或离子镀覆于基底上。 |
地址 |
518109广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 |