发明名称 用于通过激光束使半导体结晶化的装置
摘要 由多个激光源所发射的激光束被分为多个子光束,其被照射到一个基片上的无定形半导体的所选择部分上,以使得该无定形半导体结晶化。通过一个光束扩展器纠正在该激光束之间的发散角的差别。该装置包括第一和第二激光源;聚焦光学系统;以及用于把由第一和第二激光源所发射的激光束引导到该聚焦光学系统的组合光学系统;其中该组合光学系统包括置于第一激光源之后的一个λ/2波片、置于第一和第二激光源中至少一个激光源之后的光束扩展器、以及用于把由第一和第二激光源所发射的激光束相组合的偏振分束器。
申请公布号 CN1702833A 申请公布日期 2005.11.30
申请号 CN200510079087.7 申请日期 2003.05.16
申请人 富士通株式会社;株式会社日本激光 发明人 佐佐木伸夫;宇塚达也;大木孝一
分类号 H01L21/00;H01L21/268;G02F1/133 主分类号 H01L21/00
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 付建军
主权项 1.一种用于使半导体结晶化的装置,包括:第一和第二激光源;聚焦光学系统;以及用于把由第一和第二激光源所发射的激光束引导到该聚焦光学系统的组合光学系统;其中该组合光学系统包括置于第一激光源之后的一个λ/2波片、置于第一和第二激光源中至少一个激光源之后的光束扩展器、以及用于把由第一和第二激光源所发射的激光束相组合的偏振分束器。
地址 日本神奈川