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经营范围
发明名称
THRESHOLD VOLTAGE NUMERICAL ANALYSIS METHOD FOR SONOS ERASE IN SEMICONDUCTOR
摘要
申请公布号
KR100532752(B1)
申请公布日期
2005.11.30
申请号
KR20030006857
申请日期
2003.02.04
申请人
发明人
分类号
G11C16/14;(IPC1-7):G11C16/14
主分类号
G11C16/14
代理机构
代理人
主权项
地址
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