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发明名称 Method for forming trench isolation using selective epitaxial growth and part oxidation in semiconductor device
摘要
申请公布号 KR100532406(B1) 申请公布日期 2005.11.30
申请号 KR19990032773 申请日期 1999.08.10
申请人 发明人
分类号 H01L21/76;(IPC1-7):H01L21/76 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人
主权项
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