发明名称 |
制造微电子电路元件的方法与集成电路元件 |
摘要 |
本发明涉及一种制造微电子电路元件的方法与集成电路元件,所述制造微电子电路元件的方法,包括:提供具有多个部分完成的微电子元件的基底,微电子元件包括至少部分完成的存储器元件与至少部分完成的晶体管;在部分完成的晶体管部分上形成第一层,以在随后的材料移除步骤中保护至少部分完成的晶体管的部分;形成第二层大体上覆盖部分完成的存储器元件与部分完成的晶体管;移除部分第二层,留下部分的第二层于部分完成的存储器元件上;以及在第二层的部分移除后,从部分完成的晶体管移除至少实质部分的第一层。 |
申请公布号 |
CN1702851A |
申请公布日期 |
2005.11.30 |
申请号 |
CN200410096737.4 |
申请日期 |
2004.12.03 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
陈汉平;喻中一 |
分类号 |
H01L21/82;H01L21/00;H01L27/00 |
主分类号 |
H01L21/82 |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所 |
代理人 |
刘新宇;卢瑞英 |
主权项 |
1、一种制造微电子元件的方法,其特征在于所述制造微电子元件的方法包括:提供一具有多个部分完成的微电子元件的基底,该微电子元件包括至少一部分完成的存储器元件与至少一部分完成的晶体管;在该部分完成的晶体管部分上形成第一层,以在一随后的材料移除步骤中保护至少一部分完成的晶体管的部分;形成第二层覆盖该部分完成的存储器元件与该部分完成的晶体管;移除部分该第二层,留下一部分的第二层于该部分完成的存储器元件上;以及在该第二层的部分移除后,从该部分完成的晶体管移除至少一实质部分的该第一层。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 |