发明名称 |
磁阻元件 |
摘要 |
本发明提供包括中间层和夹持该中间层的一对磁性层,磁性层中的自由磁性层或者固定磁性层是至少由1层非磁性体层,夹持上述非磁性体层的磁性体层构成的多层膜,而且作为垂直于膜面流过的电流通过的上述中间层的面积所规定的元件面积是1000μm<SUP>2</SUP>以下的磁阻元件。 |
申请公布号 |
CN1229880C |
申请公布日期 |
2005.11.30 |
申请号 |
CN01137079.3 |
申请日期 |
2001.08.21 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
平本雅祥;松川望;小田川明弘;饭岛贤二;榊间博 |
分类号 |
H01L43/08;H01L43/10;H01F10/14;C01G49/00;G11B5/31;G11C11/15 |
主分类号 |
H01L43/08 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
王岳;叶恺东 |
主权项 |
1.一种磁阻元件,其特征在于,包括中间层和夹持上述中间层的一对磁性层,上述磁性层的一者是比另一者的磁性层对于外部磁场更易于磁化旋转的自由磁性层,上述自由磁性层是至少由一层非磁性体层和夹持上述非磁性体层夹的磁性体层构成的多层膜,而且作为垂直于膜面流动的电流通过的上述中间层的面积所规定的元件面积小于等于1000μm2,上述非磁性体层的厚度d在2.6nm≤d<10nm的范围内。 |
地址 |
日本大阪府 |