| 发明名称 | 利用应变硅形成半导体装置的方法以及半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种利用应变硅形成半导体装置的方法以及半导体装置。该方法包括：形成具有第一晶格常数的第一基板材料于装置基板上，再形成具有第二晶格常数的第二基板材料于第一基板材料上。利用第一、第二基板材料定义场效应晶体管的通道、源极以及漏极区，接着注入一或多种杂质材料于源极以及漏极区。最后，利用钨卤素灯之外的其他快速加热源回火该晶体管。本发明提供的利用应变硅形成半导体装置的方法，改良了热回火制程，实现了高载流子迁移率。 | ||
| 申请公布号 | CN1702844A | 申请公布日期 | 2005.11.30 |
| 申请号 | CN200510069548.2 | 申请日期 | 2005.05.13 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 葛崇祜;李文钦;胡正明 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/20;H01L21/324;H01L29/78 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1、一种利用应变硅形成半导体装置的方法，该方法包括下列步骤：形成一具有第一晶格常数的第一基板材料于一装置基板上；形成一具有第二晶格常数的第二基板材料于该第一基板材料上；利用该第一、第二基板材料定义场效应晶体管的通道、源极以及漏极区；注入一或多种杂质材料于源极以及漏极区；以及利用钨卤素灯之外的其他快速加热源回火该晶体管，其中该通道的通道晶格距离大于5埃。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||