| 发明名称 | 用于通过激光束使半导体结晶化的方法 | ||
| 摘要 | 由多个激光源所发射的激光束被分为多个子光束，其被照射到一个基片上的无定形半导体的所选择部分上，以使得该无定形半导体结晶化。通过一个光束扩展器纠正在该激光束之间的发散角的差别。本发明的一种使半导体结晶化的方法，包括如下步骤：把由多个激光源所发射的激光束通过一个聚焦光学系统照射到基片上的一个半导体层，以使得该半导体层熔化和结晶化，其中所述多个激光束不重叠地照射到该基片上，相互平行地扫描该半导体层，并且被定位，使得它们的熔化轨迹相互重叠。 | ||
| 申请公布号 | CN1702829A | 申请公布日期 | 2005.11.30 |
| 申请号 | CN200510079083.9 | 申请日期 | 2003.05.16 |
| 申请人 | 富士通株式会社;株式会社日本激光 | 发明人 | 佐佐木伸夫;宇塚达也;大木孝一 |
| 分类号 | H01L21/00;H01L21/268;G02F1/133 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1.一种使半导体结晶化的方法，包括如下步骤：把由多个激光源所发射的激光束通过一个聚焦光学系统照射到基片上的一个半导体层，以使得该半导体层熔化和结晶化，其中所述多个激光束不重叠地照射到该基片上，相互平行地扫描该半导体层，并且被定位，使得它们的熔化轨迹相互重叠。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||