Trench capacitor using SiGe layer and method of fabricating the same,申请号KR20040020765-传众专利搜索

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发明名称	Trench capacitor using SiGe layer and method of fabricating the same
摘要
申请公布号	KR100532509(B1)	申请公布日期	2005.11.30
申请号	KR20040020765	申请日期	2004.03.26
申请人		发明人
分类号	H01L21/8242;H01L27/108;H01L21/334;H01L21/82;H01L29/94;(IPC1-7):H01L21/824	主分类号	H01L21/8242
代理机构		代理人
主权项
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