| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法、电路、显示装置和电子机器 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种驱动电压低并具有高的晶体管特性的薄膜晶体管，该薄膜晶体管的制造方法，可靠性高的电路、显示装置和电子机器。本发明的薄膜晶体管(1)通过基底层(9)在基板(2)上设置栅电极(3)，再设置栅绝缘层(4)以覆盖栅电极(3)。在该栅绝缘层(4)上分离设置源电极(5)和漏电极(6)，以避开栅电极(3)的正上部，设置有机半导体层(7)，以覆盖电极(5、6)。该有机半导体层(7)的各电极(5、6)之间的区域形成载波移动的通道区域(71)。在有机半导体层(7)上，设置保护层(8)。该薄膜晶体管(1)的特征在于，有机半导体层(7)在栅绝缘层(4)之后形成，栅绝缘层(4)具有使有机半导体层(7)取向的功能。 | ||
| 申请公布号 | CN1702877A | 申请公布日期 | 2005.11.30 |
| 申请号 | CN200410071629.1 | 申请日期 | 2004.07.16 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 守谷壮一 |
| 分类号 | H01L29/786;H01L51/20;H01L21/336;H01L21/20 | 主分类号 | H01L29/786 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1、一种薄膜晶体管，其特征在于，具备：具有通道区域的有机半导体层；以夹持上述通道区域的方式设置的源区域和漏极区域；与上述通道区域对应的栅电极；和，设置在上述栅电极和上述有机半导体层之间的、具有用于在上述有机半导体层侧的面上使上述有机半导体层取向的取向面的栅绝缘层。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||