| 发明名称 | 有机薄膜齐纳二极管 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种薄膜齐纳(Zener)二极管，该薄膜齐纳二极管包括：(a)薄膜，其包括其中包括至少一种有机材料的至少一层；以及(b)与该薄膜的各相对面接触的第一和第二电极，其中选择该第一和第二电极的材料以及该薄膜的厚度，以便提供预先选择的齐纳临界电压。 | ||
| 申请公布号 | CN1703787A | 申请公布日期 | 2005.11.30 |
| 申请号 | CN03821987.5 | 申请日期 | 2003.09.08 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | R·P·金斯博鲁;I·索科利克 |
| 分类号 | H01L51/20 | 主分类号 | H01L51/20 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种薄膜齐纳二极管，包括：(a)由包括至少一种有机材料的至少一层构成的薄膜；以及(b)与该薄膜的各相对面接触的第一和第二电极。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||