| 发明名称 | 具有相变存储单元的半导体器件、使用它的电子系统和其制造方法 | ||
| 摘要 | 在一个实施例中，相变存储器件具有防止存储单元污染或氧化的氧化阻挡层及其制造方法。在一个实施例中，半导体存储器件包括覆盖在半导体衬底上的压模层。该压模层具有从其顶表面垂直扩展的突起部分。该器件进一步包括邻近突起部分的相变图案和电气连接至相变图案的下电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1702883A | 申请公布日期 | 2005.11.30 |
| 申请号 | CN200510074362.6 | 申请日期 | 2005.05.27 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 宋胤宗;黄荣南;南相敦;赵性来;高宽协;李忠满;具奉珍;河龙湖;李秀渊;郑椙旭;李智惠;柳庚昶;李世昊;安洙珍;朴淳五;李将银 |
| 分类号 | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 | 主分类号 | H01L45/00 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 林宇清;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.半导体存储器件，其包括：覆盖半导体衬底的压模层，该压模层具有从其顶表面垂直扩展的突起部分；邻近所述突起部分的相变材料图案；以及电气连接至所述相变材料图案的下电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||