温度补偿电流参考电路

摘要

本发明提供一种包含一CMOS差动放大器的电流参考电路，该CMOS差动放大器具有包含第一n沟道MOS晶体管的一漏极的第一输出节点及包含第二n沟道MOS晶体管的一漏极的一第二输出节点。第一p沟道MOS晶体管具有耦合至一供应电位的一源极、耦合至第二输出节点的一栅极及一漏极。第一PNP双极晶体管具有经由第一电阻器耦合至第一p沟道MOS晶体管的漏极且耦合至第二n沟道MOS晶体管的栅极的一发射极、及均耦合接地的一集电极和一基极。第二PNP双极晶体管具有经由与第三电阻器串联的第二电阻器耦合至第一p沟道MOS晶体管的漏极的一发射极、及均耦合接地的一集电极和一基极。第一n沟道MOS晶体管的栅极耦合至第二与第三电阻器之间的一共同节点。一第三n沟道MOS晶体管具有耦合至第一p沟道MOS晶体管的漏极的一漏极、经由第四电阻器耦合接地的一源极、及耦合至一参考电压或第二与第三电阻器之间一共同节点的一栅极。

主权项

1、一种电流参考电路，其包含：一CMOS差动放大器，其具有包含第一n沟道MOS晶体管的一漏极的第一输出节点、及包含第二n沟道MOS晶体管的一漏极的第二输出节点；一第一p沟道MOS晶体管，其具有耦合至一供应电位的一源极、耦合至所述第二输出节点的一栅极及一漏极；一第一PNP双极晶体管，其具有经由第一电阻器耦合至所述第一p沟道MOS晶体管的所述漏极并耦合至所述第二n沟道MOS晶体管的一栅极的一发射极、及均耦合接地的一集电极及一基极；一第二PNP双极晶体管，其具有经由与第三电阻器串联的第二电阻器耦合至所述第一p沟道MOS晶体管的所述漏极的一发射极、及均耦合接地的一集电极和一基极；所述第一n沟道MOS晶体管的一栅极耦合至所述第二与第三电阻器之间的一共同节点；一第三n沟道MOS晶体管，其具有耦合至所述第一p沟道MOS晶体管的所述漏极的一漏极、经由第四电阻器耦合接地的一源极及耦合至一参考电压的一栅极。