发明名称 |
等离子体处理装置、等离子体处理装置内用的处理容器以及电介质板 |
摘要 |
本发明的目的是使电介质板支撑部和金属制容器的损伤降低到最低限并谋求提高等离子体处理效率。在本发明,在电介质板和处理容器的对向区域配置有树脂层,据此,可以抑制因电介质板和金属制处理容器之间的热膨胀率差产生的粒子、损伤,此外,抑制在电介质板的边缘部等的电场边界部上局部放电的发生,提高氧化膜成膜的等离子体处理效率。 |
申请公布号 |
CN1703771A |
申请公布日期 |
2005.11.30 |
申请号 |
CN200380101022.7 |
申请日期 |
2003.10.10 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
森田治 |
分类号 |
H01L21/31;H05H1/46;C23C16/511 |
主分类号 |
H01L21/31 |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 |
代理人 |
龙淳 |
主权项 |
1、一种等离子体处理装置,对半导体基板进行等离子体处理,其特征在于,该等离子体处理装置具有:收容应处理的半导体基板的处理容器;把电磁波供给所述处理容器的电磁波供给部;在所述电磁波供给部和所述处理容器之间配置的电介质板;和在所述电介质板和所述处理容器之间配置的树脂层。 |
地址 |
日本东京都 |