发明名称 Gate electrode for a semiconductor fin device.
摘要
申请公布号 SG116565(A1) 申请公布日期 2005.11.28
申请号 SG20040007326 申请日期 2004.12.11
申请人 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 发明人 YEE-CHIA YEO;HAO-YU CHEN;FU LIANG YANG;CHENMING HU
分类号 H01L21/336;H01L29/786 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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