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发明名称 Verbesserter DRAM-Durchgangstransistor mit Arsen-Implantierung
摘要
申请公布号 DE10035439(B4) 申请公布日期 2005.11.24
申请号 DE20001035439 申请日期 2000.07.20
申请人 PROMOS TECHNOLOGIES, INC. 发明人 CHU, YU-PING;HSIEH, JA-RONG
分类号 H01L21/02;H01L21/8242;H01L27/108;(IPC1-7):H01L29/78 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
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