| 摘要 |
Die Erfindung betrifft eine Fin-Feldeffekttransistor-Anordnung mit einem Substrat, mit einem ersten Fin-Feldeffekttransistor auf und/oder in dem Substrat, der eine Finne aufweist, in welcher der Kanal-Bereich zwischen dem ersten und dem zweiten Source-/Drain-Bereich gebildet ist und über welcher der Gate-Bereich gebildet ist, und mit einem zweiten Fin-Feldeffekttransistor auf und/oder in dem Substrat, der eine Finne aufweist, in welcher der Kanal-Bereich zwischen dem ersten und dem zweiten Source-/Drain-Bereich gebildet ist und über welcher der Gate-Bereich gebildet ist, wobei die Höhe der Finne des ersten Fin-Feldeffekttransistors größer ist als die Höhe der Finne des zweiten Fin-Feldeffekttransistors.
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