发明名称 通过二元光学获得微结构深度变化量的方法
摘要 本发明提供一种通过二元光学获得微结构深度变化量的方法,该方法属于二元光学技术领域。该方法包括下述步骤:在待测微结构深度变化量的物品表面采用常规方法制作二元光学结构,将该二元光学结构用作待测微结构深度变化量的测量敏感元件,将相干光照射该二元光学结构,从该二元光学结构的深度变化所引起的衍射光场的变化,得到微结构深度的变化量。该方法可以解决测量的重复性问题,并提高了测量的精度。
申请公布号 CN1699918A 申请公布日期 2005.11.23
申请号 CN200510040289.0 申请日期 2005.05.30
申请人 安徽工业大学 发明人 赵光兴
分类号 G01B11/22 主分类号 G01B11/22
代理机构 马鞍山市金桥专利代理有限公司 代理人 周宗如
主权项 1、一种通过二元光学获得微结构深度变化量的方法,其特征在于该方法包括下述步骤:①在待测微结构深度变化量的物品表面采用常规方法制作二元光学结构,将该二元光学结构用作待测微结构深度变化量的测量敏感元件,②将相干光照射该二元光学结构,③从该二元光学结构的深度变化所引起的衍射光场的变化,得到微结构深度的变化量。
地址 243002安徽省马鞍山市湖东中路59号