改善金属硅化物工艺产生桥连现象的清洗方法

摘要

本发明提供一种改善金属硅化物工艺产生桥连现象的清洗方法，它利用包含氢气与惰性气体的混合等离子体来进行金属硅化物工艺前的清洗工艺，来达到有效地避免通用一般工艺由于使用离子溅射而导致在栅极间隙壁产生硅离子的再次沉积的现象，从而有效降低桥连现象的产生几率。

主权项

1.一种改善金属硅化物工艺产生桥连现象的清洗方法，包括下列步骤：提供一已形成有多个隔离区域、晶体管栅极结构与门极间隙壁等组件的半导体基底；以氢氟酸溶液对所述半导体基底进行一清洗工艺；以混有氢气与惰性气体的等离子体来去除所述半导体基底表面自然氧化物；在所述半导体基底上沉积一金属层；以及对所述半导体基底进行一快速热退火工艺，使所述半导体基底上的具有硅/多晶硅材质且与所述金属层相接触的接触面，形成一金属硅化物。