大功率晶闸管方形芯片

摘要

本实用新型涉及晶闸管技术领域的一种大功率晶闸管方形芯片，是对现有晶闸管方形芯片结构的改进，其主要特点是在阴极发射区的周围设置短路环，在短基区的一角处设置边缘门极区，将阴极短路点呈正三角形分布，其第一排与相邻的门极区的长边平行，阴极发射区和阳极区的外侧面及边缘门极区均设置有多层金属组成的金属层，本实用新型提高了器件的开通扩展速度，提高了高温特性和dv/dt特性，正向压降小，工艺简单，适合20－150A晶闸管的规模化生产。

主权项

1、一种大功率晶闸管方形芯片，包括N型NTD硅单晶片构成的长基区，长基区一侧面的短基区，另一侧面的阳极区，短基区外侧面设置的阴极发射区和氧化层，短基区至长基区的台面，贯穿短基区、长基区和阳极区的隔离墙，阳极区外侧面的金属层，其特征是阴极发射区的周围设置有短路环，阴极发射区的短路点呈正三角形分布，短基区的一角处设置三角形的边缘门极区，阴极发射区外侧面的金属层、阳极区外侧面的金属层及边缘门极区由不少于三层的不同金属层结合组成。