发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
摘要 |
一种半导体装置,具备第一导电型半导体衬底;形成于所述半导体衬底上的所述第一导电型本征半导体层;形成于所述本征半导体层上的第二导电型的第一半导体层;形成于所述第一半导体层内,调整为第一导电型的第一杂质层;和形成于所述第一半导体层内的双极型晶体管及MIS型晶体管。通过所述半导体衬底、所述本征半导体层和所述第一半导体层的叠层结构来形成光电转换用二极管。具有形成于所述双极型晶体管和所述MIS型晶体管下部的各自至少一部分上的第一绝缘体层和第二绝缘体层,所述第一绝缘体层形成在比所述第二绝缘体层深的位置。 |
申请公布号 |
CN1228860C |
申请公布日期 |
2005.11.23 |
申请号 |
CN02141086.0 |
申请日期 |
2002.05.30 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
嶋崎丰幸;大泽胜市;茶藤哲夫;志水雄三 |
分类号 |
H01L31/04;H01L31/06;H01L27/14 |
主分类号 |
H01L31/04 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
邹光新;叶恺东 |
主权项 |
1.一种半导体装置,具备:第一导电型半导体衬底;本征半导体层,形成于所述半导体衬底上,作为所述第一导电型,将杂质浓度调整为比所述半导体衬底低的浓度;第二导电型的第一半导体层,形成于所述本征半导体层上;第一杂质层,形成于所述第一半导体层内,调整为第一导电型;和形成于所述第一半导体层内的双极型晶体管及MIS型晶体管,形成于所述第一半导体层内,通过所述半导体衬底、所述本征半导体层和所述第一半导体层的叠层结构来形成光电转换用二极管,其特征在于,具有形成于所述双极型晶体管下部的至少一部分上的第一绝缘体层和形成于所述MIS型晶体管下部的至少一部分上的第二绝缘体层,所述第一绝缘体层形成在比所述第二绝缘体层深的位置。 |
地址 |
日本大阪府 |