对0相位区域附加并行线以增强透明电场相移位掩模的方法

摘要

一种将边界区域添加至界定有多边形0相位图案的平行边缘外侧的方法。该方法可降低光学距离校正(OpticalProximity Correction，OPC)需求，并改善集成电路的制造与图案化制造过程窗口。该方法亦可同时设置0相位与180相位的多边形宽度至特定尺寸，俾使光学距离校正易于分配。

主权项

1.一种设计相移位掩模方法，其包括：确认相移位掩模的第一相位区域边缘，该第一相位区域位于邻近的关键性多晶硅区域，且该确认边缘不是与该关键性多晶硅区域相邻的该第一相位区域边缘；扩充相对且平行至邻近于该关键性多晶硅区域的第一相位区域侧边的该确认区域的一侧以界定出一线路；以及形成一非透明线路于沿该第一相位区域边缘相对且平行至邻近该关键性多晶硅区域的该第一相位区域侧边的线路上。