发明名称 半导体集成电路装置
摘要 将半导体芯片分割成以焊磐围绕的第1半导体区域和焊磐外部的区域,将存储器配置于此焊磐外部区域。而且,将配置于这些第1半导体区域内的存储器和配置于焊磐外部的存储器,分别通过各自的存储器总线及选择器与总线接口部件耦合。用2相的相互相位没有不同的时钟信号驱动此选择器。提供即使针对记忆装置记忆容量的变更,也可以容易地应对,且不论总线接线长度的变更,可以高速地且低能耗地转送信号/数据的半导体集成电路装置。
申请公布号 CN1228847C 申请公布日期 2005.11.23
申请号 CN02129858.0 申请日期 2002.08.20
申请人 三菱电机株式会社 发明人 永田真也;渡边克吉;池本政彦
分类号 H01L27/00;G06F15/78;G06F13/36 主分类号 H01L27/00
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 马铁良;王忠忠
主权项 1.一种半导体集成电路装置,其具备配置包含处理装置的内部电路的第1半导体区域;配置至少存储上述处理装置使用的数据的第1记忆装置的第2半导体区域;配置于上述第1及第2半导体区域之间的焊磐;配置于上述第1半导体区域的第2半导体记忆装置;依照来自上述处理装置的存储器地址信号,生成指定上述第1及第2记忆装置的一方的存储器选择信号的存储器选择信号生成电路,以及用于依照来自上述存储器选择信号生成电路的存储器选择信号,将上述第1及第2记忆装置的一方与上述处理装置进行电耦合的存储器选择电路。
地址 日本东京都