| 发明名称 | 脊形波导量子级联激光器的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种脊形波导量子级联激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)在半导体衬底上生长量子级联结构，作为激光器的有源区和波导层；(B)在量子级联结构材料上生长厚的二氧化硅，作为质子轰击掩蔽层；(C)涂光刻胶，刻蚀出条形；(D)带胶进行质子轰击，去胶；(E)生长一薄层二氧化硅，在解理处刻蚀出条形作为解理标识；(F)蒸电极，解理，压焊。 | ||
| 申请公布号 | CN1700541A | 申请公布日期 | 2005.11.23 |
| 申请号 | CN200410043265.6 | 申请日期 | 2004.05.20 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 路秀真;常秀兰;胡颖;刘峰奇;王占国 |
| 分类号 | H01S5/22 | 主分类号 | H01S5/22 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种脊形波导量子级联激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)在半导体衬底上生长量子级联结构，作为激光器的有源区和波导层；(B)在量子级联结构材料上生长厚的二氧化硅，作为质子轰击掩蔽层；(C)涂光刻胶，刻蚀出条形；(D)带胶进行质子轰击，去胶；(E)生长一薄层二氧化硅，在解理处刻蚀出条形作为解理标识；(F)蒸电极，解理，压焊。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||