半导体激光器

摘要

一种具有振荡波长λ(nm)的半导体激光器，包括至少衬底、具有平均折射率N_1c1d的第一导电类型包层、具有平均折射率N_A的有源层结构、以及具有平均折射率N_2c1d的第二导电类型包层。该半导体激光器的特征在于，具有平均折射率N_1SWG的第一导电类型次波导层形成在衬底与第一导电类型包层之间，具有平均折射率N_1LIL的第一导电类型低折射率层形成在次波导层与衬底之间，且这些折射率满足特定的关系。该半导体激光器具有相对于电流、光输出和温度的变化稳定的振荡波长。

主权项

1.一种半导体激光器，其具有振荡波长λ(nm)，并包括至少衬底、具有平均折射率N1cld的第一导电类型包层、具有平均折射率NA的有源层结构、以及具有平均折射率N2cld的第二导电类型包层，其中具有平均折射率N1SWG的第一导电类型次波导层存在于该衬底与该第一导电类型包层之间，以及具有平均折射率N1LIL的第一导电类型低折射率层存在于该次波导层与该衬底之间，以及这些折射率满足所有以下公式：N1cld＜NA，N2cld＜NA，N1cld＜N1SWG，N2cld＜N1SWG，N1LIL＜N1SWG。