发明名称 一种微光机电器件的制作方法
摘要 本发明涉及一种三维微光机电器件结构的制作力法。在衬底上溅射电铸阴极,光刻、电铸形成金属结构,去胶后去除暴露的电铸阴极,再次用厚型正性光刻胶曝光、显影、坚膜暴露金属结构上表面,剩余光刻胶作牺牲层。涂敷另一种光刻胶,前烘、曝光、后烘、显影、坚膜,去除牺牲层,制成微器件。本发明采用光刻技术在上盖体内制作任意儿何形状的微结构;与上盖接触的材料为硅、玻璃、金属等;不需要额外复杂设备,用准LIGA设备即可;工艺简单,器件成品率高;制作过程不需对器件施加电压、压力及高温,对器件无损伤。上盖结构对可见光透射性好,可制作不耐高温、不耐高电压及压力的非密封微光学、微流体等器件。
申请公布号 CN1228237C 申请公布日期 2005.11.23
申请号 CN02133086.7 申请日期 2002.09.28
申请人 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发明人 梁静秋;吴一辉;张平;白兰
分类号 B81C1/00;G03G13/00 主分类号 B81C1/00
代理机构 长春科宇专利代理有限责任公司 代理人 梁爱荣
主权项 1、一种微光机电器件的制作方法,其步骤如下:(A)清洗器件衬底,(B)在器件衬底上溅射金属层作为电铸阴极,(C)在(B)步骤的上表面涂覆一层厚型正性光刻胶,光刻形成器件微模结构,(D)在(C)步骤的上表面电铸形成器件的金属结构,(E)去除(C)步骤上表面正性光刻胶的器件微模结构,(F)在(E)步骤的上表面用干法刻蚀去除微模结构下方的电铸阴极,使之露出电铸阴极下方器件衬底表面,其特征在于:(G)在(F)步骤的上表面再次涂覆与步骤(C)相同型号和厚度的厚型正性光刻胶,(H)用步骤(C)微模结构的光刻版对(G)步骤进行对准、曝光、显影、坚膜暴露出金属结构上表面,保留下来的正性光刻胶作为牺牲层,(I)在步骤(H)上表面自旋涂覆一层SU8负性光刻胶粘附剂并在烘箱中烘干,涂敷所需厚度的SU8负性光刻胶,再放在烘箱中前烘,(J)用上盖结构图形的光刻版对步骤(I)进行曝光,(K)对步骤(J)进行后烘,(L)对步骤(K)进行显影、放在烘箱中坚膜,然后去除步骤(H)的牺牲层,制成微器件。
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