发明名称 |
在半导体器件中形成浅沟槽隔离结构的方法 |
摘要 |
一种制造浅沟槽隔离结构(图4)的方法(图3A-3I),在这种方法中,一垫氧化物层(62),一中间氮化硅层(64),一中间氧化物层(60)和顶层氮化硅层(68)依次形成在硅基板(60)上。通过光致掩膜工艺和非等向蚀刻工艺在基板上形成沟槽(70)。一氧化物材料(80)随后沉积在顶层氮化硅层的顶部,同时填充到沟槽中(图3E),然后去除顶层氮化硅层,并等向蚀刻下面的氧化物层。中间氮化物层作为一自然的蚀刻屏障,可以将氧化物材料制成所需的形状。当中间氮化物层和垫氧化物层依次被去除后,就完成了一浅沟槽隔离结构的制造。 |
申请公布号 |
CN1701433A |
申请公布日期 |
2005.11.23 |
申请号 |
CN03825402.6 |
申请日期 |
2003.09.09 |
申请人 |
爱特梅尔股份有限公司 |
发明人 |
T·M·巴里;N·德戈;D·A·埃里克森;A·S·凯尔科;B·J·拉森 |
分类号 |
H01L21/76;H01L21/302;H01L21/461 |
主分类号 |
H01L21/76 |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
钱慰民 |
主权项 |
1.在半导体器件中形成隔离沟槽结构的方法,包括以下工序:在一硅基板上依次形成一第一层氧化硅层,一第一层掩膜屏障层,一第二层氧化硅层以及一第二层掩膜屏障层;在所述硅基板上进行非等向蚀刻以形成一沟槽;在所述沟槽中填入氧化硅材料;选择性的去除第二层掩膜屏障层,保持所述氧化硅沟槽填充物的完整性,从而形成一突出的氧化物结构;通过等向蚀刻方法去除所述第二层氧化硅层,从而所述突出的氧化物结构成形以具有顶部比底部窄的一峰状区域;以及依次去除所述第一层掩膜屏障层和所述第一层氧化硅层。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |