| 发明名称 | 半导体器件、噪声减小方法以及屏蔽盖 | ||
| 摘要 | 在存储模块中，参考电势连接构图置于高频信号线和/或从信号线的引线端延伸的延伸线上，以及用于覆盖半导体存储芯片的屏蔽盖置于衬底上，并且通过金属盖接触部件将参考电势连接构图连接到屏蔽盖。 | ||
| 申请公布号 | CN1700850A | 申请公布日期 | 2005.11.23 |
| 申请号 | CN200510072830.6 | 申请日期 | 2005.05.20 |
| 申请人 | 日本电气株式会社;株式会社瑞萨东日本半导体;尔必达存储器株式会社 | 发明人 | 今里雅治;中村淳;渡边敬行;常田健祐;片桐光昭;清水浩也;永田达也 |
| 分类号 | H05K9/00 | 主分类号 | H05K9/00 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种减小半导体模块的噪声的方法，该模块包括具有多种类型布线的电路衬底、贴装于电路衬底上的半导体器件，以及覆盖该半导体器件的导电屏蔽盖，该方法包括：在与电路衬底的布线的特定布线有关的位置处选择屏蔽盖的参考电势连接位置，从而减小从半导体模块中辐射出的噪声。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||