| 发明名称 | 氮化物半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种氮化物半导体器件及其制造方法。根据本发明，其特征在于相互分离各个氮化物半导体单元器件的沟槽被裂缝抑制壁填充以消除空隙，因此使在激光剥离过程中可能在氮化物半导体单元器件中发生的裂缝和损坏最小化。此外，其特征在于通过连接加强板或裂缝抑制壁连接该器件至具有覆盖其上的连接部件的载体基底，从而保持与载体基底的强连接力。 | ||
| 申请公布号 | CN1700413A | 申请公布日期 | 2005.11.23 |
| 申请号 | CN200510070947.0 | 申请日期 | 2005.05.18 |
| 申请人 | LG电子有限公司 | 发明人 | 徐廷勋;张峻豪;金钟旭 |
| 分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人 | 南霆 |
| 主权项 | 1、制造氮化物半导体器件的方法，包括步骤：(a)在基底上重复形成氮化物半导体单元器件，该氮化物半导体单元器件被形成在各个单元器件间的沟槽相互分隔，该沟槽为空置空间；(b)在各个氮化物半导体单元器件上形成电极；(c)在各个沟槽中形成裂缝抑制壁；(d)在电极和裂缝抑制壁上形成连接加强板，连接加强板由导电材料制成；(e)通过连接部件连接载体基底到连接加强板；(f)通过激光剥离从氮化物半导体单元器件和裂缝抑制壁去除基底。 | ||
| 地址 | 韩国汉城 | ||