| 发明名称 | 半导体器件上的标志的识别方法 | ||
| 摘要 | 通过从半导体基片的电路图案表面照射可见光，用可见光摄像机从晶片的背面识别一个识别标志的图像，而执行高对比度的图像识别。该硅基片的厚度被设置为5微米至50微米。具有等于800nm或更短的波长的白光和可见光被照射到基片的电路图案形成表面上。透过硅基片的可见光被在硅基片的背面侧上的可见光摄像机所接收。用可见光摄像机识别形成在硅基片的电路图案形成表面上的识别标志的图像。 | ||
| 申请公布号 | CN1228829C | 申请公布日期 | 2005.11.23 |
| 申请号 | CN02160411.8 | 申请日期 | 2002.12.30 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 渡部光久;熊谷欣一;高岛晃 |
| 分类号 | H01L21/66;H01L21/00;H01L23/544 | 主分类号 | H01L21/66 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 朱海波 |
| 主权项 | 1.一种标志识别方法，用于对形成在硅基片的电路图案形成表面上的识别标志进行图像识别，其中包括：把硅基片的厚度设置为5微米至50微米；把具有等于800nm或更短的波长的白光或可见光照射到基片的电路图案形成表面上；由在所述硅基片的背面侧上的可见光摄像机接收透过所述硅基片传输的可见光；以及识别形成在所述硅基片的电路图案形成表面上的识别标志的图像。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||