发明名称 |
实时正确驱动的静电放电保护装置 |
摘要 |
本发明提供一种实时正确驱动的静电放电保护装置,它包含两个不同导电性的金属氧化物半导体,两者的一端共同连接至一输入端垫。其中的一个金属氧化物半导体的的栅极串联至一稳压结构后再接至一工作电压,另一个金属氧化物半导体的栅极串联至另一稳压结构后再接地。当一静电压从输入端垫输入时,稳压结构使得对应的金属氧化物半导体的栅极具有一感应驱动电位以驱动对应的金属氧化物半导体。其中稳压结构可以为一电阻,或由第三金属氧化物半导体串联电阻所组成。上述的静电放电保护装置可避免迟滞驱动的情形发生,还也可以避免噪声的不正常驱动。 |
申请公布号 |
CN1700463A |
申请公布日期 |
2005.11.23 |
申请号 |
CN200410018457.1 |
申请日期 |
2004.05.19 |
申请人 |
上海宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
高荣正;黄圣扬 |
分类号 |
H01L23/60;H02H9/00 |
主分类号 |
H01L23/60 |
代理机构 |
上海光华专利事务所 |
代理人 |
余明伟 |
主权项 |
1、一种实时正确驱动的静电放电保护装置,包括:一第一金属氧化物半导体,所述第一金属氧化物半导体的栅极串联至一第一稳压结构后再接至一工作电压;以及一第二金属氧化物半导体,所述第二金属氧化物半导体的栅极串联至一第二稳压结构后再接地,其中所述第一金属氧化物半导体的导电性不同于所述第二金属氧化物半导体的导电性,所述第一金属氧化物半导体的一端与所述第二金属氧化物半导体的一端共同连接至一输入端垫;其中当一静电压从所述输入端垫输入时,所述第一稳压结构或所述第二稳压结构的可以使得对应的所述第一金属氧化物半导体或所述第二金属氧化物半导体的栅极具有一感应驱动电位以驱动对应的所述第一金属氧化物半导体或所述第二金属氧化物半导体。 |
地址 |
201203上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 |