使用栅极耦合金氧半场效晶体管的静电保护电路

摘要

本发明涉及一种使用栅极耦合金氧半场效晶体管(Gate-Coupled MOSFET)的电源总线静电保护电路，其所使用的金氧半场效晶体管栅极电位包括由一反向器及一延迟时序控制电路所控制。本发明与现有的电流分流(currentshunting)静电保护装置不同，其电流分流静电保护装置在静电发生时将金氧半场效晶体管完全导通，但本发明使用一拉降(pull-down)组件所形成的一类似分压器的电路，在静电发生时，将金氧半场效晶体管的栅极电位限制于1至2V。此外，本发明亦较现有技术中使用栅极耦合N型金氧半(BCNMOS)晶体管的静电保护装置对栅极电位具有更好的控制力，因而可以在静电发生时更有效率地触动N型金氧半晶体管进入跳通状态(snap back)。

主权项

1.一种使用栅极耦合金氧半场效晶体管的静电保护电路，当一静电电压在一第一节点上产生时，用以提供自该第一节点至一第二节点的一放电路径，其特征在于，包括：一延迟电路，在该静电电压产生时输出一电位；一分压器，接收该静电电压，并经由该延迟电路输出的电位触动后输出该静电电压的一分压；以及一分流晶体管，漏极耦接至该第一节点，源极耦接至该第二节点，在该静电电压产生时，漏极自该第一节点接收该静电电压，栅极自该分压器接收该静电电压的分压，使得该分流晶体管进入一跳通状态而产生该放电路径。