| 发明名称 | 形成具有不同类型的场效应晶体管的集成电路器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种形成集成电路器件的方法包括，在半导体衬底的单元阵列部分中形成非平坦的场效应晶体管以及在半导体衬底的外围电路部分中形成平坦的场效应晶体管。非平坦的场效应晶体管可以选自FinFET和凹陷的栅极FET的组。掺杂剂可以被注入非平坦的场效应晶体管的沟道区，然后可以在非平坦的场效应晶体管上形成单元保护层。然后，可以使用单元保护层作为掩模，将掺杂剂有选择地注入平坦的场效应晶体管的沟道区，以阻挡掺杂剂注入到非平坦的场效应晶体管的沟道区中。 | ||
| 申请公布号 | CN1700446A | 申请公布日期 | 2005.11.23 |
| 申请号 | CN200510067049.X | 申请日期 | 2005.04.27 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 安永峻;朴东健;李忠浩;姜熙秀 |
| 分类号 | H01L21/8232;H01L21/336 | 主分类号 | H01L21/8232 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 林宇清;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种形成集成电路器件的方法，包括：在半导体衬底的单元阵列部分中形成选自FinFET和凹陷的栅极FET的组的非平坦场效应晶体管；在半导体衬底的外围电路部分中形成平坦的场效应晶体管；将掺杂剂注入非平坦的场效应晶体管的沟道区；然后在非平坦的场效应晶体管上形成单元保护层；以及使用单元保护层作为掩模，将掺杂剂有选择地注入平坦的场效应晶体管的沟道区，以阻挡掺杂剂注入到非平坦的场效应晶体管的沟道区中。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||